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onsemi FGB40N6S2T
| Artikelnummer: | FGB40N6S2T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 75A 290W TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
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- Verpackung
-
onsemi FGB40N6S2T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FGB40N6S2T.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Testbedingung 390V, 20A, 3Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 8ns/35ns Schaltenergie 115µJ (on), 195µJ (off) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie - Leistung - max 290 W Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp Standard IGBT-Typ - Gate-Ladung 35 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 180 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 75 A Grundproduktnummer FGB4 FGB40N6S2T Einzelheiten PDF [English] FGB40N6S2T PDF - EN.pdf -
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